2025年11月25日，兆易创新发布GD25NX系列双电压xSPI NOR Flash。器件采用1.8V内核和1.2V I/O供电设计，可与1.2V接口的SoC直接连接，面向可穿戴设备、边缘AI及其他对功耗和响应速度有要求的应用，进一步丰富低压代码存储选项。

官方资料说明，该系列支持八线SPI及STR、DTR传输方式，最高时钟频率为200MHz，标称数据吞吐率最高400MB/s。双电压设计的意义在于匹配主控接口电平并简化相关电路，而不是省略全部电源管理或保证任意系统都获得相同性能。

选型观察：导入低压NOR时，应先确认主控启动模式、I/O电压和上电时序，再检查控制器是否支持目标读命令和时序配置。设计验证还应覆盖低温启动、掉电恢复、擦写寿命及代码更新。对批量供货项目，封装兼容性和具体型号的供货状态也应单独确认。

来源：兆易创新官方新闻稿；原始资讯日期：2025-11-25。
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