模拟与电源 / 2026-02-26
英飞凌推出600V集成GaN半桥,简化高速功率级布局
CoolGaN Drive HB 600V G5将双开关和驱动整合,面向电机及开关电源应用。
英飞凌于2月26日扩展CoolGaN产品组合,推出Drive HB 600V G5系列集成半桥。四款新器件将两颗600V GaN开关、高低侧栅极驱动及自举二极管整合到同一功率级,目标是减少外置器件并简化高速开关电路的PCB布局。
官方介绍,该系列面向低功率电机驱动和开关电源,可接受标准逻辑电平PWM输入,采用单路12V驱动电源。器件使用6×8mm的TFLGA封装并设置散热焊盘,为紧凑结构提供热设计基础;不同型号仍需根据导通及开关特性进行匹配。
选型观察:驱动集成化能缩短部分关键连接,但GaN方案仍然需要重视回路寄生参数和测量方法。研发时应核对PWM时序、死区、上电与欠压恢复行为,并在实际母线电压和负载下测试过冲及温升。沿用传统功率管方案的布局和探头接法之前,宜重新确认是否适合高速开关环境。
来源:Infineon Technologies;原始资讯日期:2026-02-26。
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