模拟与电源 / 2026-06-09
村田推出MGJ1T隔离电源,支持高压栅极驱动设计
MGJ1T以低隔离电容及抗共模瞬态能力,为储能和电机驱动中的隔离偏置供电提供支持。
村田于6月9日推出MGJ1T系列1W表面贴装隔离DC-DC转换器,为高侧与低侧栅极驱动电路供电。系列提供12V、15V和24V标称输入选择,并配置多组正负双输出,面向储能、充电设施、工业电机及高压功率变换应用。
该系列采用村田的变压器结构,强调高隔离耐压、低耦合电容和快速开关环境下的抗干扰性能。官方披露其典型隔离电容约为2.5pF,共模瞬态抗扰度大于200kV/μs。实际工程中,测试耐压、连续工作电压以及绝缘等级各有含义,应分别核对。
选型观察:SiC等功率器件在高dv/dt环境下工作时,驱动偏置电源会影响误导通风险及控制稳定性。评估隔离电源不仅要看输出瓦数,还应确认启动顺序、输出正负电压、栅极充放电能量和隔离爬电距离。负载动态及整板共模干扰测试,也应与驱动芯片和功率管联合进行。
来源:Murata;原始资讯日期:2026-06-09。
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