存储芯片 / 2026-02-28
美光印度Sanand封测设施启用,存储后道制造网络进一步扩展
美光宣布印度Sanand封装测试设施正式启用并开始商业生产,承担DRAM与NAND晶圆到成品的后道环节。
2026年2月28日,美光宣布位于印度古吉拉特邦Sanand的半导体封装与测试设施正式启用。该基地接收来自其全球制造网络的DRAM及NAND晶圆,并将其加工为最终内存与存储产品,扩展公司面向全球客户的后道制造能力。
官方公告表示,基地已经开始商业生产,并披露首批印度制造内存模组交付戴尔的情况。需要区分的是,封装测试设施与晶圆制造厂承担不同工序;后道基地启用不意味着所有芯片都在当地完成晶圆制造,也不代表所有产品系列会同时切换产地。
行业观察:对企业采购和质量管理而言,制造布局变化应落实到具体型号的追溯与变更管理。建议持续核对产品变更通知、封装测试地点、质量文件及客户认证需求,尤其是对供应地或生产批次有明确约束的项目。多地点制造可增加网络弹性,但最终供货仍取决于完整工序的协同。项目导入时应保留完整的样品和测试记录。
来源:Micron官方新闻稿;原始资讯日期:2026-02-28。
阅读原始资讯
