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美光演示512GB DDR5模组,先进封装继续提高服务器内存密度
美光公布512GB DDR5 RDIMM演示及平台验证进展,利用垂直互连封装满足AI与数据库容量需求。
阅读全文 →美光在COMPUTEX展示端到端AI存储组合,边缘设备需求受到关注
美光在COMPUTEX 2026展示从数据中心到PC、手机和汽车的存储方案,凸显AI推理对内存层级的新要求。
阅读全文 →美光送样256GB DDR5 RDIMM,服务器内存向高容量与高带宽推进
美光基于1-gamma DRAM和三维堆叠封装推进256GB DDR5 RDIMM平台验证,强调容量、带宽与能耗协同。
阅读全文 →美光245TB数据中心SSD开始出货,高密度存储聚焦AI数据湖
美光宣布245TB容量6600 ION SSD出货,以QLC NAND和E3.L形态服务AI、云及大规模数据存储。
阅读全文 →美光印度Sanand封测设施启用,存储后道制造网络进一步扩展
美光宣布印度Sanand封装测试设施正式启用并开始商业生产,承担DRAM与NAND晶圆到成品的后道环节。
阅读全文 →美光披露新加坡NAND晶圆厂扩建计划,产能布局面向长期需求
美光公布新加坡先进晶圆制造设施建设信息,计划十年投资约240亿美元,晶圆产出目标为2028年下半年。
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